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【2h】

Impact of electron trap states on the transport properties of GeSn semiconducting heterostructures assessed by electrical characterizations

机译:通过电子表征评估电子陷阱态对GeSn半导体异质结构输运性质的影响

著录项

  • 作者

    Baert, Bruno;

  • 作者单位
  • 年度 2016
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en
  • 中图分类

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